訂正-韓国ＳＫハイニックス、238層ＮＡＮＤメモリー開発と発表
Reuters
発行済 2022年08月03日 10:01
更新済 2022年08月03日 15:55
(最終段落のキオクシアの「８．９％」を「１８．９％」に訂正します)
［ソウル ３日 ロイター］ - 韓国半導体大手ＳＫハイニックスは３日、パソコンのデータ保存向けに同社最先端の２３８層ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーを開発したと発表した。今後はスマートフォンやサーバーにも供給する。来年上半期の量産開始を計画している。
ＳＫによると新メモリーは最小サイズで、これまでの世代に比べデータ転送速度が５０％改善する。データ読み取りのエネルギー消費量を２１％削減することで電力消費面も向上するという。
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ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーでは先週、米マイクロン・テクノロジーが２３２層の製品出荷を始めたと発表していた。
トレンドフォースのデータによると、今年第１・四半期のＮＡＮＤ型フラッシュメモリー市場シェアはＳＫハイニックスが、米インテルから買収した同事業ソリダイムとの合計で１８％。サムスン電子の３５．３％、キオクシアがの１８．９％（訂正）に後れを取っている。
が書いた: Reuters
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