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発行済 2023年05月19日 13:20
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[東京 19日 ロイター] - ルネサスエレクトロニクスは19日、年内にも炭化ケイ素(SiC)パワー半導体への投資を開始し、2025年の量産化を目指すことを明らかにした。制御用半導体のパワー半導体市場における存在感を高める。
同社は、昨年11月にSiCパワー半導体市場への参入を公にしたが、今回初めて投資戦略を明確にした。まずは、高崎工場(群馬県高崎市)で立ち上げる。電気自動車(EV)の普及に伴い、省エネ性能に優れたSiCパワー半導体の需要は今後の伸びが見込まれている。経済産業省によると、SiCパワー半導体市場は21年の1400億円から30年には約3.4兆円まで拡大する見通し。ロームが世界シェアで4位に位置するが、三菱電機なども増産を進めている。
ルネサスは、現行のEVで一般的なシリコン(Si)製のIGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)などのパワー半導体でも、積極投資を進めている。24年には、閉鎖していた甲府工場(山梨県甲斐市)を再稼働し生産能力を増強する。
柴田英利社長はこの日の投資家向け説明会で、IGBTなどの供給で他社に対して出遅れているが、「顧客からものすごい強い引き合いがあり、(参入により)シェアを取っていける余地は十分にある」との見解を示した。その上で「IGBTとSiCともにぐっと伸ばす計画でいる」と述べた。
柴田社長は株主還元についても発言し、現在無配の配当金について「できる限り速やかに始めたい」と改めて強調、「遠くない将来にアナウンスできるよう準備を進める」と語った。M&A(企業の買収・合併)は、ソフトウェアやデジタルなどの分野を中心に検討していく。
(浦中美穂 編集:内田慎一)
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